RFD16N06LESM9A

Mfr#	RFD16N06LESM9A
Mfr.	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
사양서	RFD16N06LESM9A.pdf
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
추가 정보	ON SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM9A에 대한 자세한 정보

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기술

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~~유품:~~51896 pcs
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제품 매개 변수
관련 상품

제품 모델	RFD16N06LESM9A
제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	51896 pcs
사양서	RFD16N06LESM9A.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)	3V @ 250µA
Vgs (최대)	+10V, -8V
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-252AA
연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	47 mOhm @ 16A, 5V
전력 소비 (최대)	90W (Tc)
포장	Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들	RFD16N06LESM9ACT
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	9 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1350pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	62nC @ 10V
FET 유형	N-Channel
FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	60V
상세 설명	N-Channel 60V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	16A (Tc)